[发明专利]具有低介电常数的高热导层的半导体组件的制造方法有效
| 申请号： | 01109539.3 | 申请日： | 2001-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1378249A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 蒋星星 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有低介电常数的高热导层的半导体组件制造方法,用以在具有一金属连线的半导体基底上方形成一内金属介电层。其中,系利用具有低介电常数与高流动性的介电质来得到平坦化的内金属介电层,并以一反调光阻覆盖于金属连线以外的部分,然后进行氮气离子植入,于沟填层中形成一高热导结构,用以增加内金属介电层的垂直热导。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 介电常数 高热 半导体 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有低介电常数的高热导层的半导体组件制造方法，用以在具有一金属连线的半导体基底上方形成一内金属介电层，其特征在于：该半导体组件制造方法包括：形成一下层氧化层于该半导体基底上方；形成一具有低介电常数的可流动性的沟填层；形成一光阻层于该沟填层上方，并定义该沟填层以得到一反调光阻；进行氮气离子植入，在该沟填层中形成一高热导结构；移除该反调光阻；沉积一顶氧化层于该沟填层上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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