[发明专利]改进快擦写存储单元编程效率的方法有效
| 申请号： | 01109939.9 | 申请日： | 2001-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1377076A | 公开（公告）日： | 2002-10-30 |
| 发明（设计）人： | 林锡聪;李慰严 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;G11C16/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种包括编程步骤的操作快擦写存储装置的方法,包括提供一快擦写存储装置,该装置具有一第1导电型基材、一位于基材内的第2导电型源极以及位于基材中的第2导电型漏极。该装置可为一分离栅、叠层栅或其它形式的结构。此方法包括在漏极区施加第1极性漏极电压以及在控制栅施加第1导电型控制栅电压。亦包括在保持基材接地时,同时在源极区施加约0.1V至0.5V的第2极性源极电压,以注射电子于一浮置栅极上而编程浮置栅。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 擦写 存储 单元 编程 效率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括编程步骤的操作快擦写存储构造的方法，包括：提供一快擦写存储装置，该快擦写存储装置具有一第1导电型本体、形成于该本体中的第2导电型源极以及形成于该本体中的第2导电型漏极；于该漏极施加第1极性的漏极电压，在一控制栅施加第1极性的控制栅电压；以及当保持该本体于接地电压时，于该源极施加约为0.1V至0.5V的第2极性的源极电压，以注射电子于一浮置栅极上；其中该第2极性的源极电压是藉由一耦接至源极的偏压产生电路(bias-potentialgenerationcircuit)施加，而该偏压产生电路是经由一源极偏压线电性耦接至该源极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
