[发明专利]一种用于半导体组件的内联机构有效
| 申请号： | 01110175.X | 申请日： | 2001-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1153288C | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 林啟发 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体组件包括：一铝导线连接到一第一金属结构，该铝导线亦连接到至少一介层窗结构，其中该介层窗结构是形成于一上层介电层中，且该介层窗结构由一第一抗热金属所制成，其中该铝导线和该第一金属结构是埋入该上层介电层中；以及至少一抗热插塞的一端点连接至该铝导线，且该抗热插塞埋入一底层介电层中，使该抗热插塞的另一端为绝缘，该底层介电层位于该上层介电层之下，该抗热插塞是由一第二抗热金属所制成，使该铝导线遭受到一快速温度改变时，由诱导应力的迁移所产生的移动的铝原子可以被该抗热插塞吸收，以避免发生介层窗鼓起问题，而使第一金属结构上方的第二金属结构受到严重伤害。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 组件 内联 机构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体组件包括：a)一铝导线连接到一第一金属结构，该铝导线亦连接到至少一介层窗结构，其中该介层窗结构是形成于一上层介电层中，且该介层窗结构由一第一抗热金属所制成，其中该铝导线和该第一金属结构是埋入该上层介电层中；以及b)至少一抗热插塞的一端点连接至该铝导线，且该抗热插塞埋入一底层介电层中，使该抗热插塞的另一端为绝缘，该底层介电层位于该上层介电层之下，该抗热插塞是由一第二抗热金属所制成，使该铝导线遭受到一快速温度改变时，由诱导应力的迁移所产生的移动的铝原子可以被该抗热插塞吸收。
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