[发明专利]具有光学隔离结构的发光二极管阵列及其制作方法无效
申请号: | 01110188.1 | 申请日: | 2001-03-29 |
公开(公告)号: | CN1378291A | 公开(公告)日: | 2002-11-06 |
发明(设计)人: | 谢正雄 | 申请(专利权)人: | 桦晶科技股份有限公司;光磊科技股份有限公司;比特罗技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种具有光学隔离结构发光二极管阵列及其制作方法。此具有光学隔离结构发光二极管阵列,包含一基板及配置于此基板上多个发光二极单元与多个深沟。此具有光学隔离结构发光二极阵列基板是为一能隙较低半导体材料,而其多个发光二极单元由另一能隙较高之半导体材料构成。此多个深沟分布于两两相邻发光二极单元之间,且至少包含一反光性金属层。藉由此多个深沟及底部能隙较低基板,可以避免发光二极阵列串讯现象(crosstalk),提高影像分辨率。 | ||
搜索关键词: | 具有 光学 隔离 结构 发光二极管 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有光学隔离结构的发光二极管阵列,包含:一基板,此基板为一低能隙半导体芯片;多个发光二极管单元,位于该基板之上,其中,每一发光二极管单元是包含一PN接口层,且由一能隙高于该基板能隙半导体材料构成;多个深沟,位于该基板之上,且每一深沟皆是介于每两两相邻该发光二极管单元之间,用以分隔该多个发光二极管单元,其中,每一深沟深度大于该发光二极管单元高度;一第一绝缘层,覆盖于该多个发光二极管单元及该多个深沟内表面上;一第一反光性金属层,覆盖于该多个深沟内该第一绝缘层表面上;一第二绝缘层,配置于该多个深沟内该第一反光性金属层表面上,用以填满该多个深沟;一垫层,覆盖于该多个发光二极管单元第一绝缘层,及该多个深沟第二绝缘层之表面上;多个接触窗,位于该多个发光二极管单元之上,用以穿透该垫层及该第一绝缘层,使该多个发光二极管单元部分表面曝露出来;多个金属配线,是连接至曝露于该多个接触窗内该多个发光二极管表面;以及一底部金属层,系位于该基板底部。
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