[发明专利]低压触发的静电放电保护电路无效
| 申请号： | 01110189.X | 申请日： | 2001-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1130769C | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 俞大立;林锡聪 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种低压触发静电放电保护电路，它耦合于一集成电路接合焊盘上，以保护该集成电路内部电路免受静电放电破坏，它包含第一导电类型半导体基底、第二导电类型阱区、以及作为半导体控制整流器阳极的第一导电类型阳极掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 触发 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种低压触发的静电放电保护电路，耦合于一集成电路的接合焊盘，它包括：一第一导电类型半导体基底；一第二导电类型阱区，设于该半导体基底内；一第一导电类型阳极掺杂区，设于该阱区内；一栅结构，设于该阱区外该半导体基底上，包含有一第一侧边以及一第二侧边；一第二导电类型第一掺杂区，设于该半导体基底内以及该阱区与该栅结构之间，且紧邻该栅结构的第一侧边；一第二导电类型第二掺杂区，设于该半导体基底内，且紧邻该栅结构的第二侧边；以及多个隔离岛，均匀的设于该第一掺杂区内，以使流经该第一掺杂区的电流绕行该多个隔离岛，用以增加该第一掺杂区电阻值。
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