[发明专利]氮化镓陶瓷体的制备方法无效
| 申请号： | 01110203.9 | 申请日： | 2001-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1159262C | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 马贤锋;洪瑞金;阎学伟;赵伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于氮化镓陶瓷体的制备方法。该方法将氮化镓粉末成型后，与氨基锂一起组装、密封在超高压装置中，通过高压烧结氮化镓粉末而获得其陶瓷体。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓陶瓷体的制备方法，其特征在于取氮化镓粉末2克 /块料，用直径为13毫米模具制成圆柱体块料，块料居中，其周围选 择在低温高压下能分解、释放氨气的物质氨基锂与六方氮化硼按重量 比1∶4-10的比例制成的混料，密封在石墨管中，并将石墨管的上、 下两端依次与石墨片、钛片、导电圈组装、密封在叶腊石块中，将叶 腊石块置于六面顶超高压装置中，在温度为500-1800℃、压强为 2.5-5.5Gpa的条件下经过2-60分钟烧结得到氮化镓陶瓷体。
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