[发明专利]双重金属镶嵌结构的制造方法有效
| 申请号： | 01110215.2 | 申请日： | 2001-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1140924C | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 刘豪杰 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双重金属镶嵌结构的制造方法。在提供的基底上覆盖一层HSQ层，将预定形成介层洞区域的HSQ层以电子束固化处理，并对HSQ层进行光刻与蚀刻制程，以形成沟道，其中电子束固化后的HSQ与用热处理固化的HSQ对湿蚀刻有很大的蚀刻选择比，因此使用湿蚀刻去除未被电子束固化的HSQ，以形成介层洞，于沟道与介层洞中填入导电材料以后即形成双重金属镶嵌结构，其中可以选择先形成介层洞或先形成沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 双重 金属 镶嵌 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双重金属镶嵌结构的制造方法，其特征在于：其包括下列步骤：提供一基底；形成一HSQ层覆盖基底；对HSQ层进行热处理，以固化HSQ层；形成并定义一硬掩模层于HSQ层上；透过硬掩模层进行一电子束固化步骤，进一步固化暴露出来的HSQ层；去除硬掩模；以湿蚀刻去除未被电子束固化的HSQ层，以形成一介层洞暴露出部分基底；形成并定义一光致抗蚀剂层于HSQ层上，光致抗蚀剂层暴露出部分HSQ层与介层洞；透过光致抗蚀剂层去除部分HSQ层，以在介层洞上方形成一沟道；去除光致抗蚀剂层；以及形成导电材料填入沟道与介层洞中。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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