[发明专利]使用GIDL方法求取闪存的完整耦合系数的方法

摘要

一种使用GIDL方法求取闪存的完整耦合系数的方法。维持固定源极电压Vs与基底电压Vb并改变漏极电压Vd与控制栅电压Vcg，测量第一栅极诱导漏极漏电流的电流值以得到第一耦合系数比αd/αcg。维持固定漏极电压Vd与基底电压Vb并改变源极电压Vs与控制栅电压Vcg，测量第二栅极诱导漏极漏电流的电流值以得到第二耦合系数比αs/αcg。维持固定漏极电压Vd与源极电压Vs并改变控制栅电压Vcg与基底电压Vb，测量第三栅极诱导漏极漏电流的电流值以得到第三耦合系数比αb/αcg。再依据规则方程式αd+αs+αb+αcg＝1，求得漏极耦合系数αd、源极耦合系数αs、基底耦合系数αb与控制栅耦合系数αcg之值。

主权项

1、一种使用GIDL方法来求取闪存的完整耦合系数的方法，该闪存是由一基底、一源极、一漏极、一控制栅与一浮置栅所组成，其特征在于：其包括下列步骤：维持固定源极电压Vs与基底电压Vb，并改变漏极电压Vd与控制栅电压Vcg；测量第一栅极诱导漏极漏电流的电流值，以得到该漏极耦合系数与该控制栅耦合系数的第一耦合系数比αd/αcg；维持固定漏极电压Vd与基底电压Vb，并改变源极电压Vs与控制栅电压Vcg；量测第二栅极诱导漏极漏电流的电流值，以得到该源极耦合系数与该控制栅耦合系数的第二耦合系数比αs/αcg；维持固定漏极电压Vd与源极电压Vs，并改变控制栅电压Vcg与基底电压Vb；量测第三栅极诱导漏极漏电流的电流值，以得到基底耦合系数与控制栅耦合系数的第三耦合系数比αb/αcg；依据第一耦合系数比αd/αcg、第二耦合系数比αs/αcg、第三耦合系数比αb/αcg与规则方程式αd+αs+αb+αcg＝1，求得漏极耦合系数αd、源极耦合系数αs、基底耦合系数αb与控制栅耦合系数αcg之值。