[发明专利]控制形成金属薄膜电极小剖面斜角的方法及其产品有效
| 申请号： | 01110431.7 | 申请日： | 2001-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1378101A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 林文坚;徐宏辉 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/09 | 分类号： | G03F7/09;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种控制形成金属薄膜电极小剖面斜角的方法及其产品,包括在基板上形成作为金属电极的双层金属结构,利用湿蚀刻溶液对于双层金属结构的上层金属的蚀刻率大于下层金属,形成具有小剖面斜角的金属薄膜,达到降低制造成本及提高产能,并使得沉积其上的绝缘层具有良好的阶梯覆盖性,进而提升优良率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 形成 金属 薄膜 极小 剖面 斜角 方法 及其 产品 | ||
【主权项】：
1、一种控制形成金属薄膜电极小剖面斜角的方法，其特征在于：它包括下列步骤：(1)形成第一厚度的第一金属层；(2)形成第二厚度的第二金属层于该第一金属层上；(3)湿蚀刻该二金属层，其中，蚀刻溶液对该第二金属层的蚀刻率大于对该第一金属层的蚀刻率。
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