[发明专利]电可擦可编程的内存装置及其制造方法

摘要

一种存储单元,有三个第一型区域于第二型基底上,一第一绝缘层于基底上方,一浮置栅极于第一绝缘层上方,一第二绝缘层于浮置栅极及第一绝缘层上方,一控制栅极于第二绝缘层上方且部分延伸至该浮置栅极上方,及一选择栅极于第二绝缘层上方。存储单元可以有四种方式结构。当位于内存矩阵时,预先定义数目的存储单元可分成数个区块。利用位(区块)选择晶体管,内存以区块为单位进行存取及改变。该存储单元不增加工艺步骤,可撇开快闪存储单元需要的工艺步骤。

主权项

1.一种电可擦可编程的内存装置，其特征是：包括：一第一型材料的基底；第二型材料的第一、第二、第三区域，位于该基底内且彼此隔离；一第一绝缘层，位于该基底上方；一浮置栅极，位于该第一绝缘层上方且延伸至这些区域之一的一部分上方；一第二绝缘层，位于该第一绝缘层及该浮置栅极上方；一选择栅极，位于该第二绝缘层上方且延伸至这些区域之二的部分上方；以及一阶梯状控制栅极，具有一第一部及一第二部，该第一部位于该第二绝缘层上方且延伸至这些区域之一的部分上方，该第二部则位于该第一部及该第二绝缘层上方且延伸至该浮置栅极的一部分上方。