[发明专利]使用源极偏压执行非挥发性内存单元写入动作的方法有效
| 申请号： | 01110482.1 | 申请日： | 2001-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1380658A | 公开（公告）日： | 2002-11-20 |
| 发明（设计）人： | 陈益民;陈炳动 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用源极偏压执行非挥发性内存单元写入动作的方法。其中,该非挥发性内存单元在进行读取及写入时分别使用一基体读取电压值及一基体写入电压值,该方法包括以下步骤,首先,改变该基体写入电压值,使改变后的该基体写入电压值与该基体读取电压值间的差值减小。接着使用改变后的该基体写入电压值进行写入。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 偏压 执行 挥发性 内存 单元 写入 动作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用源极偏压执行非挥发性内存单元写入动作的方法，其中该非挥发性内存单元在进行读取及写入时分别使用一基体读取电压值及一基体写入电压值，其特征是：该方法包括以下步骤：改变该基体写入电压值，使改变后的该基体写入电压值与该基体读取电压值间的差值减小；使用改变后的该基体写入电压值进行写入。
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