[发明专利]在半导体晶片上形成自行对准金属硅化物接触物的方法

摘要

一种在半导体晶片上形成自行对准金属硅化物接触物的方法,首先界定出一基板。接着于此基板上长成一第一介电材料层,于此第一介电材料层上沉积一多晶硅层。然后进行图案化及形成至少一个栅极后,再于此栅极与第一介电材料层上沉积一第二介电材料层。对第2介电层进行幕罩蚀刻以界定出一源极区及一漏极区。同时进行非等向性蚀刻以形成与栅极相邻的侧壁间隔物的步骤。然后进行平行溅镀以沉积一硅层。接着注入离子于此沉积硅中。

主权项

1.一种在半导体晶片上形成自行对准金属硅化物接触物的方法，其特征是：该半导体晶片具有一栅极介电材料层，且至少一多晶硅栅极沉积在该栅极介电材料层上，包括下列步骤：沉积一间隔物介电材料层于该栅极及该栅极介电材料层上；遮蔽该间隔物介电材料层用以界定出一源极区与一漏极区，及让该多晶硅栅极露出；进行非等向性蚀刻以去除沉积于该栅极上的该间隔物介电材料及沉积于该源极区与该漏极区上的该间隔物介电材料与该栅极介电材料层，而形成与该栅极相邻的该间隔物介电材料的侧壁间隔物。直向溅镀以沉积一硅层；沉积一金属层；以及加热该晶片以诱发介于该沉积硅与该沉积金属之间的硅化反应而在该源极区、该漏极区与该栅极上形成金属硅化物。