[发明专利]充电电池保护电路用功率场效应晶体管的覆晶安装方法无效
| 申请号： | 01110591.7 | 申请日： | 2001-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1149650C | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 简凤佐;陈启文;林正峰;涂高维;苏玉昆 | 申请（专利权）人： | 华瑞股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H05K13/00;H01M10/42 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 台湾省台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 充电电池保护电路用功率场效应晶体管覆晶安装法含下列步骤：制造晶圆时将每两个晶体管的漏极金属接点串联成一芯片单元；用焊头在各单元的接点上点焊金属线，使源、栅极接点分别形成焊金凸块；将晶圆切割成每两个漏极串联在一起的裸芯片单元；将芯片单元沾锡，使其接点的焊金凸块沾附锡球；在电路板定位点上涂热硬化性树脂；将裸芯片单元覆晶令漏极朝上，使锡球对准电路板定位点安装；经加热加压使锡球熔融与电路板的金属接点焊接。 | ||
| 搜索关键词： | 充电电池 保护 电路 用功 场效应 晶体管 安装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种充电电池保护电路用功率场效应晶体管的覆晶安装方法，其特征在于，保护电路包括有垂直式布局的功率场效应晶体管及保护IC，该安装方法依次包含下列步骤：在晶圆制造过程中将每两个场效应晶体管的漏极金属接点串联成一个芯片单元；用焊头在各芯片单元的接点上点焊金属线，使源极和栅极接点分别形成焊金凸块；将晶圆切割成每两个漏极串联在一起的裸芯片单元；将芯片单元沾锡，使其接点的焊金凸块沾附锡球；在印刷电路板的定位点上涂热硬化性树脂；将裸芯片单元覆晶令漏极朝上，使锡球对准印刷电路板的定位点上安装；及通过烤箱加热并加压，使锡球熔融而与印刷电路板上的金属接点焊接在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
