[发明专利]一种用于金属层蚀刻的轮廓控制方法

摘要

本发明涉及一种一金属层蚀刻的轮廓控制方法。该金属层设于一半导体芯片的介电层上。该金属层包含有一铝合金层以及一抗反射层。该铝合金层设于一介电层上，该抗反射层设于该铝合金层上。该轮廓控制方法包含有下列步骤。首先进行一穿透步骤，以一第一蚀刻配方去除该抗反射层以及一预定深度的该铝合金层。接着，进行一主蚀刻步骤，以一较该第一蚀刻配方快的第二蚀刻配方去除残余的金属层。本发明可以产生一个没有I型的轮廓以及平滑的侧壁。因此，后续的介电质填充制程便不容易产生孔洞，半导体芯片的可靠度可以提高。

主权项

1.一种用于金属层蚀刻的轮廓控制方法，该金属层设于一半导体芯片的介电层上，该金属层包含有：一设于一介电层上的铝合金层；以及设于该铝合金层上的一抗反射层；其特征在于该轮廓控制方法包含有下列步骤：进行一穿透步骤，提供一第一源功率、一第一偏压功率以及氮气与含氯气体为反应气体之一，以一第一蚀刻方案去除该抗反射层以及一预定深度的该铝合金层，其中，该第一源功率与该第一偏压功率之比约为1/3；以及进行一主蚀刻步骤，提供一第二源功率、一第二偏压功率以及氮气与含氯气体为反应气体之一，以一较该第一蚀刻方案的蚀刻速率快的第二蚀刻方案去除残余的金属层，其中，该第二源功率与该第二偏压功率之比约为10/3。