[发明专利]分子束外延自组织生长量子线的制备方法无效
| 申请号： | 01110768.5 | 申请日： | 2001-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN1123913C | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 阎发旺;张文俊;张荣桂;梁春广 | 申请（专利权）人： | 信息产业部电子第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 石家庄冀科专利事务所有限公司 | 代理人： | 高锡明 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分子束外延自组织生长量子线的制备方法。它利用分子束外延技术和高面指数衬底本身不平整性的特点，在控制好一定的生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等生长条件下，在分子束外延设备中自组织一次外延制备量子线材料。它不涉及光刻、外延层腐蚀等复杂工艺，制备工艺简单，可重复性强，制造成本低。利用本方法制备的量子线具有高密度、高均匀性及良好的一维特性。可应用于固体光电子和微电子等器件。 | ||
| 搜索关键词： | 分子 外延 组织 生长 量子 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种分子束外延自组织生长量子线的制备方法，它包括步骤：利用分子束外延设备控制生长条件自组织生长量子线，其特征在于它还包含的加工步骤有：a.采用分子束外延工艺，在高面指数砷化镓(1)衬底上生长一层厚度为50至150纳米砷化镓或40至100周期砷化镓/砷化铝超晶格的缓冲层(2)；b.在缓冲层(2)上生长一层厚度为10至50纳米的砷化镓下势垒层(3)；c.在砷化镓下势垒层(3)上生长一层厚度为1至8纳米厚的镓铟砷量子线势阱层(4)；d.在镓铟砷量子线势阱层(4)生长一层厚度为10至50纳米的砷化镓上势垒层(5)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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