[发明专利]提高金属电极反射率的方法无效
申请号: | 01111187.9 | 申请日: | 2001-04-09 |
公开(公告)号: | CN1149687C | 公开(公告)日: | 2004-05-12 |
发明(设计)人: | 初国强;刘星元;刘云;王立军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H05B33/10;H05B33/24 |
代理公司: | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人: | 李恩庆 |
地址: | 130022吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明属于光电子技术是一种提高金属电极反射率的方法。本发明利用光学反射膜原理,制备具有低功函数,高反射率的金属电极。具体作法是,在透明基板上镀金属薄膜,再镀上低折射率材料膜;然后镀高、低折射率材料组合;最后镀高折射率材料或金属。本发明在保证电极的电子注入的情况下,可以有效地提高电极的反射率,使其达到95%以上。 | ||
搜索关键词: | 提高 金属电极 反射率 方法 | ||
【主权项】:
1、一种提高金属电极反射率的方法,利用光学反射膜的原理,镀制具有低功函数,高反射率的金属电极,其特征是在透明基板上镀具有高折射率的金属透明导电薄膜,在该薄膜上镀具有高反射的低折射率材料膜,然后镀高、低折射率材料组合,最后镀高折射率材料或具有高折射率的金属,上述过程可表示成(M/L)(H/L)(H/L)……(H/L)D或(M/L)(H/L)nD其中n为正整数,代表高低折射率材料组合组数,(M/L)中的M为具有高折射率的金属透明导电膜,L为镀在M上的低折射率材料;(H/L)为高、低折射率材料组合,H为高折射率材料,L为低折射率材料,D为高折射率材料或具有高折射率的金属;具有高折射率的金属透明导电膜M,光学厚度是准1/4波长,高折射率材料H、低折射率材料L的光学厚度是1/4波长,D为具有高折射率的金属时,厚度在50nm以上。
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