[发明专利]多位磁存储元件有效
| 申请号： | 01111226.3 | 申请日： | 2001-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN1316746A | 公开（公告）日： | 2001-10-10 |
| 发明（设计）人： | M·K·巴塔查里亚 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,陈景峻 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 多位磁存储单元(400)包含第一(410)和第二数据层。有一个反铁磁耦合层对(430,450)介于第一和第二数据层之间。在一个实施例中，第一和第二数据层有不同的矫顽性。存储单元结构包含多个分隔层(420,460)从而将第一和第二数据层与反铁磁耦合层对分隔开来。在一个实施例中，介于反铁磁耦合层对之间的耦合层(440)是一种可导、包含钌(Ru)或铜(Cu)的金属材料。在一个实施例中，介于每一个第一、第二数据层和反铁磁耦合层对之间的分隔层(420,460)是不可导的，这样的单元是自旋相关隧道磁阻(TMR)单元。作为选择，分隔层(420,460)是可导的，则这种单元是巨磁阻(GMR)单元。 | ||
| 搜索关键词： | 多位磁 存储 元件 | ||
【主权项】：
1．一种存储单元装置包括：由磁性材料构成的第一和第二数据层；以及介于第一和第二数据层之间的一反铁磁耦合层对。
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