[发明专利]一种快速防止预清洗室微粒污染的方法无效
| 申请号： | 01111262.X | 申请日： | 2001-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN1374413A | 公开（公告）日： | 2002-10-16 |
| 发明（设计）人： | 郭家铭;黄昭元 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种快速防止预清洗室微粒污染的方法,包括一提供硅材于一预清洗室中;一提供氧气与溅射用气体至该预清洗室中的气体中;及一利用无线电波波频,将该预清洗室中的氧气与溅射用气体电离成等离子体,以使该硅成分与氧等离子体反应,形成一二氧化硅层的等离子体产生步骤。根据本发明可以达到延长预清洗室的钟型缸使用时间的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 防止 清洗 微粒 污染 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快速防止预清洗室微粒污染的方法，是利用一预清洗室中已形成有富含硅氧化物时，包括：一硅材提供步骤，在该预清洗室中提供一硅材；一气体提供步骤，提供一氧气与一溅射用气体至该预清洗室中；及一等离子体产生步骤，是利用无线电波波频将该预清洗室中的氧气与溅射用气体电离成等离子体，以利用溅射用气体的等离子体撞击该硅材，进而将硅材中的硅成分击出，以使该硅成分与该富含硅氧化物同时与氧等离子体反应，据以快速地在该预清洗室内形成一二氧化硅层。
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