[发明专利]埋入的金属双重镶嵌板电容器有效
| 申请号： | 01111265.4 | 申请日： | 2001-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1314705A | 公开（公告）日： | 2001-09-26 |
| 发明（设计）人： | R·M·格福肯;A·K·斯塔珀 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/283;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,陈景峻 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 金属电容器由晶片的BEOL中的金属双重镶嵌工艺的一部分构成。电容器的下极板(27)夹在绝缘层(25)与介质层(29)之间。对边上的绝缘层邻接金属层(23,24),并且介质层把电容器的下极板层(27)与上极板层(59)分隔开。下极板的一部分(27A)介进要用铜(63)填充的邻近的通孔(37)中。通孔向上伸到有上极板的公用表面但与上极板电隔开。通孔还向下延伸到金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 埋入 金属 双重 镶嵌 电容器 | ||
【主权项】：
1．在已通过至少一层金属层制成器件的晶片上的金属电容器的制造方法，包括以下步骤：a)设置第一绝缘层；b)所述第一绝缘层顶上形成第一金属极板；c)所述第一金属极板顶上形成第一介质材料；d)形成通孔，它延伸通过所述介质材料并接触所述第一金属极板；和e)在所述通孔中和所述第一介质材料顶面上淀积金属，形成第二金属极板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
