[发明专利]通过等离子体CVD方法形成沉积膜的装置和方法

摘要

一种成膜装置,包括一个真空腔,一个能量施加电极,一个通过它可以把原材料气体引入所述真空腔的原材料气体引入部分,和一个通过它将所述的真空腔排空的排气部分,所述的能量施加电极被设置成与所述真空腔中的用于成膜的基底相对,其特征在于至少所述的原材料气体引入部分或所述的排气部分设有一个厚度适宜的用于阻挡所述等离子体的开口调节元件,而且使所述的能量施加电极与所述的开口调节元件放置的位置满足a或c≥b的等式,其中,a是所述能量施加电极与在所述原材料气体引入部分处设置的所述开口调节元件之间的最短距离,c是所述能量施加电极与在所述排气部分处设置的所述开口调节元件之间的最短距离,b是所述基底和与所述基底表面相对的所述能量施加电极的水平面之间的平均距离。一种采用所述成膜装置的成膜方法。

主权项

1、一种成膜装置，包括：一个基本上密封的真空腔，其内部能够被抽真空；一个具有适宜厚度的能量施加电极，用于将放电能引入所述的真空腔；一个原材料气体引入部分，通过它可以把原材料气体引入所述的真空腔；和一个排气部分，通过它将所述的真空腔排空；所述的能量施加电极被设置成与所述真空腔中的基底相对；其中通过所述的能量施加电极引入放电能，在所述的能量施加电极与所述基底之间的放电空间产生等离子体，以分解通过原材料气体引入部分引入的原材料气体，从而在所述的基底上形成膜的沉积，其特征在于：至少所述的原材料气体引入部分或所述的排气部分设有一个厚度适宜的用于阻挡所述等离子体的开口调节元件，而且使所述的能量施加电极与所述的开口调节元件放置的位置满足a或c≥b的等式，其中，a是所述能量施加电极与在所述原材料气体引入部分处设置的所述开口调节元件之间的最短距离，c是所述能量施加电极与在所述排气部分处设置的所述开口调节元件之间的最短距离，b是所述基底和与所述基底表面相对的所述能量施加电极的水平面之间的平均距离。