[发明专利]铜镀层集成电路焊点的结构和方法无效
| 申请号： | 01111396.0 | 申请日： | 2001-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN1314225A | 公开（公告）日： | 2001-09-26 |
| 发明（设计）人： | R·J·斯蒂尔曼;G·阿马多尔;H·R·泰斯特 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K1/19 | 分类号： | B23K1/19;B23K31/12;H01L21/60;H01L21/64 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 洪玲 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种坚固、可靠并且低成本金属结构和方法,其使电丝/带连接到集成电路的互连铜镀层。该结构含,沉积在氧化铜表面的、250铜扩散系数小于1×10E－23cm2/S并且厚约0.5－1.5μm的第一阻挡金属层。其在第一阻挡金属层上进一步包括第二阻挡金属层,该第二阻挡金属层250时具有少于1×10E－14cm2/s的第一阻挡金属扩散系数,并且厚度小于1.5μm。其最终包括可焊接金属的最外层,在该层上,焊接金属丝供冶金学连接。第一阻挡金属选自镍、钴、铬、钼、钛、钨及其合金。第二阻挡金属选自钯、钴、铂和锇。最外金属层选自金、铂和银。 | ||
| 搜索关键词： | 镀层 集成电路 结构 方法 | ||
【主权项】：
1．用于集成电路焊点的一种金属结构，该集成电路具有铜互连镀层，该结构包括：未氧化铜的焊点表面；和沉积在所述铜表面上的可焊接金属层，其250的铜扩散系数小于1×10E-23cm2/s并且厚约0.5-1.5μm。
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