[发明专利]降低单边静态随机存取存储器功率消耗的装置与方法无效
| 申请号： | 01111464.9 | 申请日： | 2001-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1374659A | 公开（公告）日： | 2002-10-16 |
| 发明（设计）人： | 林鸿明;白宏达 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种降低单边SRAM功率消耗的装置与方法。该装置包含至少一列状态存储单元;一检测单元,用来检测写入数据的位状态,并将位状态写入状态存储单元;一写入转换单元,根据位状态将写入数据转换成0位为少数位的储存数据,并将该储存数据写入单边SRAM;以及一读出转换单元,根据储存于状态存储单元的位状态将单边SRAM输出的储存数据加以还原并输出。由于所储存至单边SRAM的位数据中,1位保持为多数位,因此可降低单边SRAM的功率消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 单边 静态 随机存取存储器 功率 消耗 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低单边SRAM功率消耗的装置，包括：至少一列状态存储单元；一检测单元，用来检测写入数据的位状态，并将位状态写入前述状态存储单元；一写入转换单元，根据前述位状态将前述写入数据转换成0位为少数位的储存数据，并将该储存数据写入单边SRAM；以及一读出转换单元，根据储存于前述状态存储单元的前述位状态将前述单边SRAM输出的前述储存数据加以还原并输出。
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