[发明专利]垂直金属－氧化物－半导体晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 01111690.0 | 申请日： | 2001-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1314713A | 公开（公告）日： | 2001-09-26 |
| 发明（设计）人： | 原田博文;小山内润 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种垂直MOS晶体管及其制造方法。当栅极电压加到栅电极时,沿着沟槽的p－外延生长层内部形成沟道,使电子流从n+漏层流向p－外延生长层。栅极和漏层之间隔着栅极氧化膜相互交叠的面积较先有技术的小,由此使反馈电容变小,使高频特性得以改善。此外,由于栅极氧化膜中处于沟槽底部的部分较处于沟槽侧壁的部分厚,因而栅极与n+半导体基片的距离较先有技术的大,导致栅极与n+半导体基片的电容较先有技术的小,其高频特性就得以改善。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种垂直MOS晶体管，它包括：属于第一导电类型的半导体基片；在所述半导体基片上面生成的属于第二导电类型的第一外延生长层；在所述第一外延生长层上面生成的属于所述第一导电类型的第二外延生长层；这样生成的沟槽：它穿透所述第二外延生长层和所述第一外延生长层到达所述半导体基片内部；沿着所述第二外延生长层表面和所述沟槽的壁表面生成的栅极氧化膜；注入所述沟槽从而被所述栅极氧化膜包围的栅极；在所述第二外延生长层表面及所述沟槽的周边生成的属于所述第一导电类型的漏层；与所述栅极连接的栅电极；与所述漏层连接的漏电极；以及与所述半导体基片连接的源电极。
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