[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 01111902.0 | 申请日： | 2001-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1319897A | 公开（公告）日： | 2001-10-31 |
| 发明（设计）人： | 佐藤琢也;根上卓之;林茂生;桥本泰宏;岛川伸一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0264 | 分类号： | H01L31/0264;H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏金玺,钟守期 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供其特性和可靠性良好的太阳能电池及其制造方法,该太阳能电池使用包含Ⅰb族元素、Ⅲb族元素和Ⅵb族元素的半导体。该太阳能电池配有导电性的基体11、在基体11的一主表面11a上形成的第1绝缘层12a、在基体11的另一主表面11b上形成的第2绝缘层12b、以及在第1绝缘层11a的上方配置的光吸收层14,光吸收层14由包含Ⅰb族元素、Ⅲb族元素和Ⅵb族元素的半导体组成。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种太阳能电池，该太阳能电池包括：导电性的基体；在所述基体的一主表面上形成的第1绝缘层；在所述基体的另一主表面上形成的第2绝缘层；以及在所述第1绝缘层的上方配置的光吸收层；其中，所述光吸收层由包含Ⅰb族元素、Ⅲb族元素和Ⅵb族元素的半导体构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
