[发明专利]使用金属氧化物半导体场效应晶体管的保护电路装置及其制造方法

摘要

问题是没有改善由于MOSFET芯片上面的电极取出依赖于线焊接而由影响最大的MOSFET芯片的源电极取出电阻引起的通态电阻的解决办法。通过使用MOSFET的保护电路装置,不需要共用漏电极的引回而且源电极直接被固定于导电电路,实现了低的通态电阻,其中,该MOSFET配备有在电气上分离的多个导电电路、在所希望的该导电电路上把固定栅电极和源电极的2个功率MOSFET集成在一个芯片上的MOSFET芯片、设置该MOSFET芯片的共用漏电极的导电材料、覆盖所述MOSFET芯片并且一体地支持所述导电电路的绝缘树脂。

主权项

1.一种使用MOSFET的保护电路装置装置，在该保护电路装置装置中，串连连接2个MOSFET，使用由控制器IC对所述两个MOSFET进行开关控制的MOSFET，其特征在于在绝缘衬底上设置希望的模式的导电电路、在所希望的该导电电路上把在一个芯片上集成所述两个MOSFET的MOSFET芯片的每一个的栅电极与各个源电极固定、在所述MOSFET芯片的里面设置的共用漏电极上布置导电材料。