[发明专利]半导体基片品质评价的方法和装置

摘要

在激光器件和半导体基片之间的第一个斩光器以一特定频率遮挡激发光，在第一斩光器和半导体基片之间的第二个斩光器以比第一斩光器高的变化频率遮挡激发光。当用激发光断续性地照射半导体基片时，通过控制第二个斩光器逐渐增加激发光的斩光频率时，控制器从光致发光平均强度的变化得到光致发光的衰减时间常数T，通过“τ＝T/C”计算出半导体基片的寿命τ，其中C是一个常数。通过定量地得到长寿命半导体基片的寿命准确地评价半导体基片中的杂质和缺陷等。

主权项

1.一种用于评价半导体基片品质的方法，该方法用一种激发光断续性地照射该半导体基片的表面，并且当用所述激发光断续性地照射所述半导体基片时，根据所述半导体基片发出的光致发光的强度的变化测量所述光致发光的衰减时间常数，其特征在于，所述方法包括如下步骤：当用所述激发光断续性地照射所述半导体基片时，由所述半导体基片发出的所述光致发光的强度转变为一种电信号，通过逐渐增加该激发光的斩光频率，从转变为所述电信号的光致发光的平均强度的变化得到光致发光的衰减时间常数，以及从表达式(1)计算出表征所述半导体基片品质评价的寿命：τ＝T/C…………(1)其中τ是寿命，T是光致发光的衰减时间常数，C是一个常数。