[发明专利]直流或交流电场辅助退火无效
| 申请号： | 01112158.0 | 申请日： | 2001-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1323061A | 公开（公告）日： | 2001-11-21 |
| 发明（设计）人： | A·W·巴兰蒂;J·J·埃利斯－莫纳汉;古川俊治;J·D·吉伯特;G·R·米勒;J·A·斯林克曼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/326 | 分类号： | H01L21/326;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈霁,傅康 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体器件中形成理想的接合剖面图的一种方法。将至少一种掺杂物引入半导体衬底。通过将半导体衬底和至少一种掺杂物退火来扩散至少一种掺杂物,同时使半导体衬底暴露于一个电场。 | ||
| 搜索关键词： | 直流 交流 电场 辅助 退火 | ||
【主权项】：
1．在半导体衬底中形成理想的接合剖面图的一种方法包括：将至少一种掺杂物引入半导体衬底；并且随后通过将半导体衬底退火来扩散至少一种掺杂物，同时使半导体衬底暴露于一个DC或AC电场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
