[发明专利]一种用于合成稀土陶瓷材料的工艺方法无效
| 申请号： | 01112512.8 | 申请日： | 2001-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1377854A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 韦永德;郝素娥 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/50 | 分类号： | C04B35/50;C04B35/622 |
| 代理公司： | 哈尔滨工业大学专利中心 | 代理人： | 李依群 |
| 地址： | 150001 *** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提出一种用于合成稀土陶瓷材料的工艺方法,该方法将稀土渗剂扩渗到陶瓷材料的表界面乃至体相。有利于稀土与陶瓷组元的相互作用,从而使陶瓷材料的压电性能,机电耦合性能高温抗氧化性、强度和韧性等综合性能得到显著改善。本发明在功能陶瓷和工程陶瓷材料领域有着广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 合成 稀土 陶瓷材料 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于合成稀土陶瓷材料的工艺方法，其特征在于：按以下步骤实现：1、首先将陶瓷粉末制成陶瓷片。2、将扩渗炉中空气排除，造成还原性气氛。3、将陶瓷片放入扩渗炉中，炉中温度为900℃左右。4、将稀土配制成渗剂滴至扩渗炉中。
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