[发明专利]制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液无效
| 申请号： | 01112872.0 | 申请日： | 2001-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1152154C | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 李爱珍;林春;郑燕兰;简贵胄;张永刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | C23F1/16 | 分类号： | C23F1/16 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液。它包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种。盐酸系腐蚀液为盐酸、酒石酸和双氧水；氢氟酸系腐蚀液为氢氟酸、酒石酸和双氧水；酒石酸盐系腐蚀液为酒石酸钾钠、盐酸和双氧水。这三种腐蚀液不会破坏光刻胶掩膜，能应用于GaSb、AlGaAsSb、InGaAsSb等二元和四元系III-V族锑化合物的台面腐蚀，腐蚀速率可控，且小于1μm/min，与器件工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 锑化镓基 半导体器件 化学 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液，其特征在于所述化学 腐蚀液的成分包括酒石酸钾钠、酒石酸和双氧水；先配好酒石酸钾钠/盐酸溶液： HCl∶H2O∶酒石酸钾钠＝66ml∶440ml∶24g，腐蚀前配稀双氧水溶液：H2O2∶H2O＝ 20ml∶480ml，然后按0.5-2∶1的体积比将两种溶液混合。
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