[发明专利]钒酸钇晶体材料的制备方法无效
| 申请号： | 01113120.9 | 申请日： | 2001-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1393579A | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 朱金福 | 申请（专利权）人： | 上海佳科光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/30 |
| 代理公司： | 上海浦东良风专利代理有限责任公司 | 代理人： | 徐启伟 |
| 地址： | 201818 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种运用固相合成法得到的钒酸钇晶体材料的制备方法。包括以下步骤a、钒酸钇原料合成对提纯后的偏钒酸铵进行分组，选择一定的温度和时间，分解成高纯度的V2O5。氧化钇提纯后，选择适当的重量分组，在一定的温度和时间下烧灼；b、钒酸钇晶体生长将两种原料装入铱坩埚内，并放入反应炉，进行化料，原料熔化后装入籽晶杆，采用引上法提拉，获得长成的晶体，c、成品的制备。采用本发明获得的钒酸钇晶体材料纯度高、性能好、成本低，可用作光纤通信行业的激光晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 钒酸钇 晶体 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、钒酸钇晶体材料的制备方法，包括以下步骤：a、钒酸钇原料合成：对提纯后的偏钒酸铵(NH4VO3)，进行加热和保温，在大气环境下彻底分解成高纯度的V2O5。氧化钇(Y2O3)提纯后，在高温下烧灼，除去水分、草酸等杂质；b、钒酸钇晶体生长：将两种原料装入铱坩埚内，并放入反应炉，进行化料，原料熔化后装入籽晶杆，采用引上法提拉，获得长成的晶体；c、成品的制备：将生长好的晶体装入氧气炉内退火，出炉冷却后经定向、切割、研磨、抛光、检测后，进行成品包装。
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