[发明专利]二分旋转全组合材料合成方法无效
申请号: | 01113385.6 | 申请日: | 2001-07-12 |
公开(公告)号: | CN1140916C | 公开(公告)日: | 2004-03-03 |
发明(设计)人: | 蔡英文 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 毛翠莹 |
地址: | 20003*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种二分旋转全组合材料合成方法,采用二分、旋转操作制备掩膜组,第一枚掩膜一半通透而另一半遮蔽,称之为二分,第二枚掩膜由第一枚掩膜旋转90度而来,称之为旋转,第三枚掩膜又将第一枚掩膜的通透区和遮蔽区各分为两个相等部分,这两部分中一半通透而另一半遮蔽,即为一个再次二分的过程,第四枚掩膜由第三枚掩膜旋转90度而来。如此不断进行二分旋转操作,制备一套总数为N的掩膜组,通过N次这样的掩膜过程,既不重复也不遗漏地实现N种元素的全组合,最终得到一个单元总数为2N的材料样本库。通过对这一样本库的功能测试,可以快速筛选出具备特定功能特性的新型材料体系。 | ||
搜索关键词: | 二分 旋转 组合 材料 合成 方法 | ||
【主权项】:
1、一种二分旋转全组合材料合成方法,其特征在于采用二分、旋转操作制备掩膜组,对于N种元素,通过N次试验得到一个N种元素的全组合: 第一枚掩膜的一半是通透的,而另一半是遮蔽的,称之为二分,将该掩膜置放于一个衬底的表面,进行薄膜沉积、分子束外延或者离子注入,完成以后,移去第一枚掩膜,在同样位置放置第二枚掩膜,第二枚掩膜由第一枚掩膜旋转90度而来,称之为旋转,在材料合成以后,在同一位置更换为第三枚掩膜,第三枚掩膜又将第一枚掩膜的通透区和遮蔽区各分为两个相等的部分,这两个部分中一半是通透的,而另一半是遮蔽的,即为一个再次二分的过程,同样,第四枚掩膜由第三枚掩膜旋转90度而来,如此不断进行二分旋转操作,制备一套总数为N的掩膜组,通过N次这样的掩膜过程,完成N种元素的全组合,最终得到一个单元总数为2N的材料样本库。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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