[发明专利]旋转磁场下净化原铝熔体的方法无效
| 申请号： | 01113957.9 | 申请日： | 2001-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1322853A | 公开（公告）日： | 2001-11-21 |
| 发明（设计）人： | 翟秀静;符岩;张晓明;张爱黎;刘宜汉;姚广春 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C22B21/06 | 分类号： | C22B21/06 |
| 代理公司： | 沈阳东大专利代理有限公司 | 代理人： | 梁焱 |
| 地址： | 110004 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种旋转磁场下净化提纯原铝熔体的方法,将工业电解槽中原铝熔体装入旋转磁场净化炉中,关闭加料口,通入保护气,启动旋转磁场,待达到要求时间后启动炉底冷却装置,使铝熔体从底部开始缓慢结晶,结晶达到要求的高度后,取出上层富集杂质的铝熔体,再取出结晶的纯净铝,本发明具有工艺简单、易于控制、能耗低、搅拌均匀、净化提纯效果好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 旋转 磁场 净化 原铝熔体 方法 | ||
【主权项】：
1、一种旋转磁场下净化原铝熔体的方法，其特征在于将工业电解槽中的原铝熔体装入旋转磁场净化炉中，关闭加料口，通入保护气体，启动旋转磁场，旋转磁场作用的时间在0.5-10小时内调整，达到要求时间后，启动炉底冷却装置，使铝熔体从底部开始缓慢结晶，结晶量达到铝加入量的50-80％时，取出上层富集杂质的铝熔体，再取出结晶的纯净铝；通过调整电压控制旋转磁场强度，电压调整范围为0～380V；通过调整电压控制铝熔体温度，电压调整范围为0～220V，偏析结晶速度由计算机控制，速度控制在0.1～10mm/min。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北大学，未经东北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01113957.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
