[发明专利]一种低膨胀高导热的硅铝合金无效
| 申请号： | 01114124.7 | 申请日： | 2001-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1150343C | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 冼爱平;闵家源 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C22C29/18 | 分类号： | C22C29/18 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 110015辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种低膨胀高导热的硅铝合金，其基本的化学配方为，重量百分比：硅50％-80％，铝及不可避免的杂质余量；还可以添加第三组元，选自硼、铬、铁、钛、钒、镍、锰、磷中的一种或多种组合，加入量0.01-1.0％，这种硅铝合金可以用常规的热加工工艺制备，合金的热膨胀系数连续可调，其变化范围为6-12×10-6/K，热导率变化范围110-150W/mK，比重为1.7-2.5g/cm3，本发明特别适用于大规模集成电路的电子封装，大功率晶闸管管座等要求高强度散热场合的热沉材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 膨胀 导热 铝合金 | ||
【主权项】：
1、一种低膨胀高导热的硅铝合金，其特征在于合金配方成份范围如下，重量百分比：硅 50～80％铝及不可避免的杂质 余量。
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