[发明专利]CaAsSb/InP双异质结晶体三极管及其制备方法无效
| 申请号： | 01115034.3 | 申请日： | 2001-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1317832A | 公开（公告）日： | 2001-10-17 |
| 发明（设计）人： | 徐现刚;崔得良;白玉俊;郝霄鹏 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 山东大学专利事务所 | 代理人： | 孙君 |
| 地址： | 250100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaAsSb/InP双异质结晶体三极管以及金属有机化学气相沉积技术制备三极管材料的方法。本发明晶体三极管由以下三部分组成集电区、基区和发射区，衬底采用半绝缘的InP单晶片，集电区由生长在衬底之上的N+－InGaAs和低掺杂的N－－InP组成，基区由P+－GaAsSb组成，发射区由N－－InP或AlInAs和N+－InGaAs欧姆接触层组成。本发明技术重复性好，制备的器件性能优异，是一种理想的制备微波无线通讯及光通讯半导体器件材料的方法。 | ||
| 搜索关键词： | caassb inp 双异质 结晶体 三极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1．一种GaAsSb/InP双异质结晶体三极管，由发射区、基区和集电区组成，衬底采用半绝缘的磷化铟单晶片，其特征在于，集电区由生长在衬底上的N+-InGaAs和低掺杂的N--InP组成，基区由P+-GaAsSb组成，发射区由N--InP或AlInAs和N+-InGaAs欧姆接触层组成。
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