[发明专利]一种锡锑氧化物导电膜及其制造方法无效
| 申请号： | 01115143.9 | 申请日： | 2001-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1165204C | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 冷同桂 | 申请（专利权）人： | 潍坊润泰智能电气有限公司 |
| 主分类号： | H05B3/14 | 分类号： | H05B3/14 |
| 代理公司： | 潍坊众智专利事务所 | 代理人： | 张曰俊 |
| 地址： | 261021*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锡锑氧化物导电膜及其制造方法，锡锑氧化物导电膜包括二氧化锡80％-96％(重量)、五氧化二锑4％-20％(重量)，它们的粒度直径为10-20nm，厚度为80-180nm。其制造方法是以SnCl4的水溶液和SbCl3乙醇溶液为原料通过氨水沉淀，用草酸或氨水回溶，浓缩，制备成溶胶凝胶，经过陈化，在石英玻璃上高温喷涂，形成锡锑氧化物导电膜；本发明制造的锡、锑氧化物导电膜结构致密，具有良好的导电性、高透光率、省时省电且热交换效率高；其制造方法工艺简单、利用设备少，成本低，并且对环境污染轻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 导电 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种锡锑氧化物导电膜，其特征在于：所述的锡锑氧化物导电膜包括二氧化锡、五氧化二锑，它们的粒度直径为16-18nm，其重量百分比含量范围为：二氧化锡 85％-95％五氧化二锑 5％-15％锡锑氧化物导电膜的厚度为110-120nm。
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