[发明专利]形成无铅凸点互连的方法无效
| 申请号： | 01115321.0 | 申请日： | 2001-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1320960A | 公开（公告）日： | 2001-11-07 |
| 发明（设计）人： | 张伟明;Z·S·卡里姆 | 申请（专利权）人： | 卓联科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 一种用于倒装法在基片或晶片上形成焊料凸点的方法,包括步骤提供具有多个金属焊盘的基片或晶片,这些金属焊盘提供与基片或晶片的电连接;通过电镀技术镀覆包括纯锡或从锡－铜、锡－银、锡－铋或锡－银－铜选择的锡合金的焊料凸点;以及通过加热到凸点的熔点温度以上熔融焊料凸点,以实现再流。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 无铅凸点 互连 方法 | ||
【主权项】：
1．一种用于倒装法在基片或晶片上形成焊料凸点的方法，包括步骤：提供具有多个金属焊盘的基片或晶片；这些金属焊盘提供与基片或晶片的电连接；通过电镀技术镀覆包括纯锡或从锡-铜、锡-银、锡-铋或锡-银-铜选择的锡合金的焊料凸点；以及通过加热到凸点的熔点温度以上熔融焊料凸点，以实现再流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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