[发明专利]微型中子管及其制作方法无效

专利信息
申请号: 01115326.1 申请日: 2001-04-20
公开(公告)号: CN1142448C 公开(公告)日: 2004-03-17
发明(设计)人: 陈振鹏;孙业英 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G01V5/10 分类号: G01V5/10;H05H3/06;G21G4/02
代理公司: 北京清亦华专利事务所 代理人: 廖元秋
地址: 1000*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于测量仪器技术领域,涉及微型中子管及其制作方法。本发明提出两种微型中子管及相应的制作方法。一种是其靶室外部套有偏转电子永久磁铁;含有靶面积较大的内制纯氚靶或氘氚混合靶;耐高温,源距短,应用范围广。另一种是其潘宁离子源(特别)比较大,外直径与所要装配的中子发生器的内直径滑动匹配;特别适于装配直径显著小于30mm的中子发生器。本发明中子产额高,工作寿命长;可同时装有氘存储器和氚存储器,当使用失效后,用户可以自行修复再用。
搜索关键词: 微型 中子 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种微型中子管,它由耐高压绝缘密封壳、潘宁离子源、靶室、加速电极和氢同位素存储器构成,该潘宁离子源是由导磁金属材料做成的密封盖和杯状壳、由无磁材料做成的密封管和由导磁材料做成的阴极基体焊在一起,其特征在于:所述耐高压绝缘密封壳是由一端粗、一端细的高压绝缘管,在两端分别与一个侧壁为三层结构的粗环型封接金属部件、一个细环型封接金属部件分别封接而成;所述加速电极固定在所述粗环封接金属部件上;所述靶室与所述粗环型封接金属部件焊接在一起,所述潘宁离子源与细环型封接金属部件焊接在一起;所述靶室是用无磁和导热性能极好的金属材料做成的带底金属圆筒,所述金属圆筒的底部充当靶基体;所述靶基体的外直径接近于所述高压绝缘管的粗端内直径,在它的内端面上制有直径与内端面直径略小一点的氢同位素靶膜;所述靶室侧壁外面装有偏转电子永久磁铁;所述靶室端接地电位;所述氢同位素存储器焊接在所述靶基体外端面上;所述潘宁离子源是一端细、一端粗,其粗端外直径接近于所述高压绝缘管的粗端内直径,其粗端内部含有阳极;在所述阴极基体接近阳极的端面和在靠近所述阳极的杯状壳内表面上镀上二次电子发射系数高的金属膜充当阴极;所述潘宁离子源端接正高压电位;在所述细环型封接金属部件这一端外放置有辅助高压绝缘筒。
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