[发明专利]下埋式微细金属连线的制造方法

摘要

一种下埋式细微金属连线的制造方法,反覆的沉积膜层于凸起于半导体底材表面的绝缘区块上,进行蚀刻程序以定义侧壁间隙壁于绝缘区块上,对沉积的膜层厚度进行控制,调整所制作侧壁间隙壁的宽度,使位于半导体底材上的侧壁间隙壁具有远小于微影制程最小允许线宽的宽度,再利用侧壁间隙壁作为蚀刻罩幕,对其下的介电层进行蚀刻,制作出宽度细微的沟渠结构,再进行金属的沉积与研磨程序,在沟渠中形成细微的多数条金属连线。达到进一步缩小元件尺寸的功效。

主权项

1、一种下埋式微细金属连线的制造方法，其特征在于：它包括下列步骤：(1)于半导体底材上形成介电层；(2)于该介电层上表面制作多数个绝缘区块，该每一个绝缘区块具有3个单位的宽度，且任两个该绝缘区块之间，具有宽度5个单位的间隔；(3)于该绝缘区块侧壁上形成第一侧壁间隙壁，该第一侧壁间隙壁具有1个单位的宽度；(4)移除该多数个绝缘区块；(5)于该第一侧壁间隙壁的侧壁上形成第二侧壁间隙壁，该第二侧壁间隙壁具有1个单位的宽度；(6)于两个相邻的该第二侧壁间隙壁间的空隙中形成填充物，该填充物具有1个单位的宽度；(7)移除该第二侧壁间隙壁；(8)使用该第一侧壁间隙壁与该填充物作为蚀刻罩幕，对该介电层进行非均向性蚀刻，以于该介电层中形成多数个沟渠结构；(9)于该多数个沟渠中填充金属，以形成多数条金属连线。