[发明专利]开成非易失性存储器的方法

摘要

一种形成非易失性存储器的方法，在半导体基板上形成第一介电层和第一硅层，在第一硅层上形成蚀刻阻障层。用光刻及蚀刻技术在蚀刻阻障层上形成开口，并通过执行各向同性蚀刻制程对第一硅层进行部分蚀刻，形成碟形孔洞。将蚀刻阻障层去除之后形成第二介电层，以填满碟形孔洞。执行平坦化步骤去除碟形孔洞外的第二介电层，形成介电质栓塞，再利其做为蚀刻保护罩进行各向异性蚀刻制程，形成具有尖角的悬浮栅极。本发明利用简单的蚀刻、沉积及化学机械研磨制程所形成，可大幅提升非易失性存储器的产量及优良率。

主权项

1、一种形成非易失性存储器的方法，其特征在于：它包括如下的步骤：(1)在一半导体基板上形成第一介电层和第一硅层；(2)在所述第一硅层上形成一层蚀刻阻障层；(3)利用光刻及蚀刻技术，在所述蚀刻阻障层上形成一开口；(4)通过所述开口执行各向同性蚀刻制程，对所述第一硅层进行部分蚀刻，以形成一碟形孔洞；(5)去除所述蚀刻阻障层；(6)形成第二介电层，以填满所述碟形孔洞；(7)执行一平坦化步骤，以去除所述碟形孔洞外的第二介电层，以形成一介电质栓塞；(8)利用所述介电质栓塞做为蚀刻保护罩，进行一道各向异性蚀刻制程，以形成具有尖角的悬浮栅极； (9)去除所述介电质栓塞。