[发明专利]介电陶瓷组合物的制造方法无效
申请号: | 01116183.3 | 申请日: | 2001-05-29 |
公开(公告)号: | CN1147448C | 公开(公告)日: | 2004-04-28 |
发明(设计)人: | 南山;崔畅学;梁桢仁;丁浚焕;金炳圭;李确周 | 申请(专利权)人: | 阿莫泰克有限公司 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/453;H01B3/12 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 武玉琴;朱登河 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及高频电介质Ba(Zn1/3Ta2/3)O3(BZT)的制造方法,以BaCO3、Ta2O3和ZnO粉末为主要原料,把它们混合后合成Ba(Zn1/3Ta2/3)O3烧制粉末;在上述Ba(Zn1/3Ta2/3)O3烧制粉末中,添加从Al2O3、Ga2O3、ZrO2、TiO2、SnO2粉末中选择出来的至少一种氧化物并进行混合,其中,上述Al2O3、Ga2O3的添加量对全部成分为0.7~1.0摩尔%,上述TiO2、ZrO2及SnO2的添加量对全部成分为1.5~2.0摩尔%;然后把上述混合物进行烧结。与现有方法相比工艺简单,且制造的BZT的Q值在200,000以上,与100,000左右Q值的BZT相比Q值明显增加,同时具有介电常数在28.5以上、温度系数为0的优良介电特性,可用于移动通讯站的过滤器。由于在纯BZT中加入少量Al2O3、Ga2O3、ZrO2、TiO2、SnO2等3+和4+离子,解决了因Zn挥发造成的烧结困难问题。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 组合 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.Ba(Zn1/3Ta2/3)O3介电陶瓷组合物的制造方法,其特征为,包括以下步骤:以BaCO3、Ta2O3和ZnO粉末为主要原料,把它们混合后合成Ba(Zn1/3Ta2/3)O3烧制粉末;在上述Ba(Zn1/3Ta2/3)O3烧制粉末中,添加从Al2O3、Ga2O3、ZrO2、TiO2、SnO2粉末中选择出来的至少一种氧化物并进行混合,其中,上述Al2O3、Ga2O3的添加量对全部成分为0.7~1.0摩尔%,上述TiO2、ZrO2及SnO2的添加量对全部成分为1.5~2.0摩尔%;把上述混合物进行烧结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿莫泰克有限公司,未经阿莫泰克有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01116183.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。