[发明专利]半导体器件测试方法和测试装置无效
| 申请号： | 01116185.X | 申请日： | 2001-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1333466A | 公开（公告）日： | 2002-01-30 |
| 发明（设计）人： | 山田惠三 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/305 | 分类号： | G01R31/305;H01L21/66;G01B15/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用电子束在扫描测试样品时对一测试样品和另一测试样品的辐射,将测试样品中产生的电流值作为电流波形与电子束辐射的位置相应地储存,并比较电流波形,来检测被测试样品的缺陷位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件测试装置，包括：电子束辐射装置，用于通过用电子束来扫描被测试的测试样品来辐射所述测试样品；和电流测量装置，用于测量由电子束辐射在所述测试样品中产生的电流，所述半导体器件测试装置的特征在于，包括：存储装置，用于当由所述电子束辐射装置移动电子束的辐射位置时，将所述电流测量装置所测量的多个所述测试样品中每一个的电流值的变化与所述电子束辐射位置对应地作为电流波形来储存；和比较装置，用于将从多个所述测试样品中得到的电流波形与储存在所述存储装置中的电流波形相比较，并当所储存的电流波形之间存在的差异超过预定值时，输出与所述一个测试样品上的位置相关的信息。
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