[发明专利]半导体集成电路无效
| 申请号： | 01116250.3 | 申请日： | 2001-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1312493A | 公开（公告）日： | 2001-09-12 |
| 发明（设计）人： | 须藤稔;小山内润 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/46 | 分类号： | G05F1/46;G05F1/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了改善稳压器(输出晶体管的接通电阻)的驱动性能,同时又抑制其表面积的增加,通过控制稳压器的输出晶体管的反向栅极电压,改变该输出晶体管的阈值电压,从而减少该输出晶体管的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1．一种稳压器，用于从一P沟道MOS晶体管向负载提供电能，具有用于分出一输出电压的分压电阻，一误差放大电路，用于将所述分压电阻的输出电压和一基准电压间的电压差放大，以及一P沟道MOS晶体管，包括：一比较电路，用于将所述分压电阻的输出电压和所述基准电压进行比较；以及利用所述比较电路的输出来改变所述P沟道MOS晶体管的衬底电势的装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工电子有限公司，未经精工电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01116250.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：从土壤脱除污染物的方法
- 下一篇：元器件安装方法
