[发明专利]半导体装置的生产方法无效

专利信息
申请号: 01116342.9 申请日: 1995-12-21
公开(公告)号: CN1166710C 公开(公告)日: 2004-09-15
发明(设计)人: M·D·拉曼;D·P·奥宾 申请(专利权)人: 科莱恩金融(BVI)有限公司
主分类号: C08G8/08 分类号: C08G8/08;G03F7/023;H01L21/027
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王杰
地址: 英属维尔京*** 国省代码: 维尔京群岛;VG
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摘要: 水不溶性、含水碱溶性可溶可熔酚醛树脂,该树脂的制备方法,合有该树脂的光刻胶以及制备半导体装置的方法,其中该树脂通过液面下强制水蒸汽蒸馏法得到分离。
搜索关键词: 半导体 装置 生产 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置的生产方法,其中通过用正性光刻胶组合物涂敷适宜的基底来在该基底上形成光刻胶图象;对该经过涂敷的基底进行热处理直至几乎全部溶剂均被脱除为止;以成影像的方式使光敏组合物曝光;用含水碱性显影剂脱除该组合物中成影像曝光区域;该组合物包括下列组分的混合物:1)使光刻胶组合物产生均匀的光敏作用的光敏组分;2)用于形成基本上均匀的光刻胶组合物的处于光刻胶组合物中的通过一种或多种甲酚与甲醛在酸性催化剂存在下在适宜有机溶剂中缩合而成并且通过在100-150℃于液面下强制水蒸汽蒸馏分离得到的含水碱溶性、水不溶性可溶可熔酚醛树脂和3)适宜的溶剂。
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