[发明专利]一种适于宽带半导体硫(硒)化锌－锰薄膜的生长方法无效
| 申请号： | 01116433.6 | 申请日： | 2001-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1379453A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 张吉英;单崇新;张振中;申德振;吕有明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/365 | 分类号： | H01L21/365;C23C16/00 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域,涉及一种对薄膜电致发光器件中发光薄膜制备方法的改进。用金属有机化学气相沉积(MOCVD)和低压下由高频感应产生等离子体使气体有机源分解,从而实现低温硫(硒)化锌－锰Zn(Se)SMn薄膜生长。本发明的薄膜生长可在不同衬底上进行,且均可实现高亮度桔黄色光致发光和电致发光,发光波长位于580－600nm。本发明的制备方法适于宽带II－VI族半导体光电材料的生长制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适于 宽带 半导体 化锌 薄膜 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜生长方法，其特征在于：首先是在金属有机气相沉积生长室加热基座上放入清洗好的带有导电层(ITO)的衬底或带有一层氮氧硅(SiON)和一层ITO的衬底，由机械泵和低压控制器使生长室压力控制在1.33×102-1.06×103Pa，再施加高频感应电源使等离子体频率为0.3-0.5MHz，使衬底生长温度升至350-400℃时通入由钯管纯化的高纯氢气，然后依次通入高纯氢气携带的硫化氢H2S或硒化氢H2Se，二甲基锌DMZn，三羟基甲基环戊二烯基Mn其化学式为：(CH3C5H4)Mn(CO)3，即可在等离子体协助下完成Zn(Se)S：Mn薄膜生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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