[发明专利]半导体元件的阻挡层孔洞消除方法无效
| 申请号： | 01116580.4 | 申请日： | 2001-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1140918C | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 林平伟;高明宽;谢丞忠 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/3205;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体元件的阻挡层孔洞消除方法，其是在高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)工艺中，先通入氩气并施加偏压使氩气形成高密度等离子体来对阻挡层(Barrier Layer)进行溅射(Sputter)，以将一阻挡层中的孔洞(Void)打开，然后以高密度等离子体化学气相沉积法形成一介电层(Dielectric)，据此，当一半导体元件上形成一阻挡层时，则可在介电层形成时，利用等离子体将阻挡层中的孔洞打开，进而消除阻挡层中的孔洞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 阻挡 孔洞 消除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的阻挡层孔洞消除方法至少包括步骤：通入氩气并施加偏压使氩气形成高密度等离子体来对该阻挡层进行溅射，以打开该阻挡层中的孔洞；以及以高密度等离子体化学气相沉积法形成一介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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