[发明专利]具有电容器的半导体存储器件的制造方法

摘要

一种具有电容器的半导体存储器件的制造方法,包括在基底上形成覆盖住晶体管的第一绝缘层;形成穿过该绝缘层并与漏和源极之一连接的第一导电层;形成柱状层及其侧壁的第二导电层;在各导电层上交替形成第一和第二膜层;在第二膜层上方形成第二绝缘层;形成第三导电层并对其构图,使各导电层与第二膜层构成存储电极;去除柱状层与各绝缘层,形成介电层;及在介电层表面形成第四导电层以构成相对电极。

主权项

1.一种具有电容器的半导体存储器件的制造方法，其中该半导体存储器件包括一基底、一形成在该基底上的转移晶体管、以及一电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上的存储电容器，该制造方法包括下列步骤：a.在该基底上形成一第一绝缘层，覆盖住该转移晶体管；b.形成一第一导电层，穿过至少该第一绝缘层，与该转移晶体管的该漏极和源极区之一电连接；c.在该第一导电层上方形成一柱状绝缘层；d.在该柱状绝缘层表面形成一第二导电层；e.在该第二导电层上方形成一第二绝缘层，该第二绝缘层大致填满对应于漏极区上方区域的该第二导电层的凹口中的空间；f.对该第二导电层与该第二绝缘层构图，分开其位于该柱状绝缘层上方的部分；g.对该柱状绝缘层构图，形成一开口；h.在该开口侧壁和底部以及该第二导电层和该第二绝缘层上方形成一第三导电层；i.对该第三导电层和该第二导电层构图，分开位于该开口底部的该第三导电层以及位于与该第一导电层电连接的源极和漏极区之一上方的该第三导电层和该第二导电层，该第三导电层的一末端大致连接在该第一导电层的周边，与该第一导电层构成一类树干状导电层，而该第二导电层的一末端连接在该第三导电层的内表面上，构成一类树枝状电导层，且该第一、第二、第三导电层构成该存储电容器的一存储电极；j.去除该柱状绝缘层与该第二绝缘层；k.在该第一、第二、第三导电层暴露出的表面上，形成一电介质层；以及l.在该电介质层的一表面上，形成一第四导电层以构成该存储电容器的一相对电极。