[发明专利]电摄像感光件及其制备方法有效
| 申请号： | 01117039.5 | 申请日： | 2001-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1314717A | 公开（公告）日： | 2001-09-26 |
| 发明（设计）人： | 川守田阳一;山崎至;三木宣道;相马孝夫;上杉浩敏 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L27/14;H04N5/335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在基体上含有电荷产生层和电荷传递层的电摄像感光件的制备方法,它包含如下步骤涂覆一种含电荷传递材料、粘合剂树脂、二甲氧基甲烷和沸点在130℃或更高的芳烃类溶剂的溶液、并干燥该溶液以形成电荷传递层。 | ||
| 搜索关键词： | 摄像 感光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1．一种在基体上含有电荷产生层和电荷传递层的电摄像感光件的制备方法，包括如下步骤：涂覆一种含电荷传递材料、粘合剂树脂、二甲氧基甲烷和沸点在130℃或更高的芳烃类溶剂的溶液，并干燥该溶液以形成电荷传递层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
