[发明专利]废溶剂的再生方法和装置有效
| 申请号： | 01117166.9 | 申请日： | 2001-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1322005A | 公开（公告）日： | 2001-11-14 |
| 发明（设计）人： | 五十岚轨雄;井上恭;山口典生;增田义登;川濑泰人;青岛芳芝;小田昭昌 | 申请（专利权）人： | 松下环境空调工程技术株式会社;日本瑞环株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B09B5/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及已用于溶解保持性树脂组分或者含有在半导体或液晶基体制造时分离在基体上的保护性树脂的过程中废弃的树脂组分的使用过的溶剂的再生方法,其中包括除去树脂组分、除去挥发性杂质如水并对溶剂进行精炼的步骤。首先进行除去树脂组分的步骤。在精炼过的溶剂最终蒸发后,再生的溶剂以冷凝溶剂形态回收。还叙述了用于实施这种方法的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 溶剂 再生 方法 装置 | ||
【主权项】：
1．使用过的溶剂的再生方法，其中包括：从含有树脂组分的使用过的溶剂中除去树脂组分，除去挥发性杂质和精炼溶剂，其中首先进行除去树脂组分的步骤，在完全蒸发出溶剂后回收呈冷凝溶剂形式的再生溶剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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