[发明专利]减少了延迟变动的场效应晶体管无效
| 申请号： | 01117216.9 | 申请日： | 1997-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1389929A | 公开（公告）日： | 2003-01-08 |
| 发明（设计）人： | 金子良明 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在具有第一导电类型的沟道、源和漏区的化合物半导体层内设置减少了延迟变动的场效应晶体管。在上述的区域上分别形成栅、源和漏电极。特别是栅电极设有在与所述源和漏区的相对方向交叉的方向上延伸的伸出部分,并从沟道区伸出。在该化合物半导体层中,形成与第一导电类型相反的第二导电类型的阱区,以便比在沟道、源和漏区内更深地围住沟道区、源区和漏区以及栅电极的伸出部分。通过用第二导电类型的阱区围住包括伸出部分的栅电极,使延迟变动显著地减少。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 延迟 变动 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：第二导电类型的化合物半导体层；与在所述化合物半导体层中形成所述第二导电类型相反的第一导电类型的沟道区；在所述化合物半导体层中配置的、在所述沟道区两侧彼此相对的所述第一导电类型的源和漏区；在所述沟道区上形成的栅电极，其在与所述源和漏区的相对方向交叉的方向上延伸，并设有从所述沟道区延伸出的伸出部分；电连接到所述源和漏区的源和漏电极。
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