[发明专利]子能带间超晶格光发射器内有空间对称波函数的平微能带有效
申请号: | 01117576.1 | 申请日: | 2001-07-03 |
公开(公告)号: | CN1352479A | 公开(公告)日: | 2002-06-05 |
发明(设计)人: | 费德里科·卡帕索;阿尔弗雷德·Y·乔;孙-尼·G·楚;克莱尔·F·格玛楚;阿伯特·L·哈沁森;阿瑟·M·瑟贞特;德伯拉·L·斯夫科;阿利桑德罗·特莱迪库奇;迈克尔·C·万克 | 申请(专利权)人: | 朗迅科技公司 |
主分类号: | H01S5/34 | 分类号: | H01S5/34;H01S5/343 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蒋世迅 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | ISB光发射器的RT区包括预偏移SL和多个分裂的量子阱(SPQW)。SPQW是被足够薄的第一势垒层分裂成多个子阱的量子阱,该足够薄的第一势垒层把上能态与下能态分裂,分裂宽度超过它们的自然增宽,并对每个RT区内的不同微能带产生影响。与之相反,相邻的SPQW则通过第二势垒层相互耦合。要选取后一种层的厚度,使横越每个RT区上建立微能带。在一个实施例中,该发射器包括相邻RT区之间的I/R区,而在另一个实施例中,则省去I/R区。 | ||
搜索关键词: | 能带 晶格 发射器 空间 对称 函数 | ||
【主权项】:
1.一种子能带间(ISB)超晶格(SL)光发射器,包括:芯区,其上包含多个重复单元,每个重复单元包含一单极辐射跃迁(RT)SL区,每个所述RTSL区包括与多个第一势垒区交错的多个量子阱(QW)区,所述QW区具有上微能带和下微能带表征的能态,和电极,把电场施加于所述发射器,有效地使所述RT区以所述微能带内上能态与下能态决定的能量发光,在所述QW区的至少第一子集中,内电子势能是被预偏移的,使不管所述SL内的所述外加电场是否存在,所述上微能带与下微能带两者的基本上平的能带情况都存在,其特征在于每个所述QW区包含至少一个第二势垒区,该势垒区把所述QW分裂为多个耦合的子阱,所述第二势垒区的厚度,要能使至少所述上能态和下能态的波函数,相对于每RT区的中间平面基本上是空间对称的,并且所述微能带能在所述QW内独立地适当定位。
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